专利名称：具有高维持电压的SCR ESD保护结构专利类型：发明专利
发明人：易扬波,杨东林,祝靖,王钦,刘侠申请号：CN200910212765.0申请日：20091109公开号：CN101764151A公开日：20100630
摘要：一种具有高维持电压的静电放电防护SCR结构，形成于一器件上，所述器件包括包含P型衬底，在P型衬底上设有N型掩埋层，在N型掩埋层上设有N型阱，在P型衬底上还设有与N型阱平行的P型阱。在N型阱中设有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区，第一N+掺杂区和第一P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起，作为器件的阳极，在P型阱中设有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区，第二N+掺杂区和第二P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起，作为器件的阴极。SCR结构便由N型阱中的P+掺杂区，N型阱区域，P型阱区域，P型阱中的N+掺杂区构成，它通过P型衬底和N型阱之间的掩埋层来增加维持状态下的N阱电阻，从而增加了维持电压。
申请人：苏州博创集成电路设计有限公司
地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层
国籍：CN
代理机构：南京经纬专利商标代理有限公司
代理人：楼高潮
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