专利名称：半导体存储器件专利类型：发明专利发明人：山冈雅直,河原尊之申请号：CN201010211925.2申请日：20060930公开号：CN101908372A公开日：20101208
摘要：本发明提供一种半导体存储器件，在使用了小型化的晶体管的低功耗SRAM中，通过降低从漏电极流向衬底电极的漏电流和亚阈值漏电流，降低LSI电路整体的功耗，并且提高存储器单元的写入读出时的动作稳定性。并且，提供一种抑制因增加晶体管数量等造成的存储器单元的增加，抑制芯片面积的增大的技术。在使用具有BOX层的SOI或FD-SOI晶体管而构成的SRAM存储器单元中，通过控制驱动晶体管的BOX层下的阱电位，控制晶体管的阈值电压，使电流增加，从而能够实现存储器单元的稳定动作。
申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
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